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供銷IA-DJFPVRP本安電纜（耐寒）含稅最低價；
本安計算機用屏蔽電纜（或稱本安DCS系統(tǒng)用電纜）適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合，傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜，簡稱本安DCS系統(tǒng)用電纜，具有優(yōu)異的屏蔽性能和抗干擾性能，因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統(tǒng)電纜和計算機控制電纜。
使用特性
1、交流額定電壓U0/U：300/500V
2、電纜導體長期允許工作溫度：聚氯乙烯絕緣為70℃；交聯(lián)聚乙烯絕緣為90℃；無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、***低環(huán)境溫度：固定敷設-40℃；非固定敷設-15℃；安裝敷設時環(huán)境溫度：不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑：非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍；銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。
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■ 基本型號 |
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型號 |
名稱 |
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IA-DJYPVP |
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜 |
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IA-DJYPVPR |
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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IA-DJYP3VP3 |
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
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IA-DJYP3VP3R |
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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IA-DJYP2VP2 |
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
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IA-DJYP2VP2R |
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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IA-DJYJPVP |
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜 |
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IA-DJYJPVPR |
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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IA-DJYJP3VP3 |
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
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IA-DJYJP3VP3R |
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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IA-DJYJP2VP2 |
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
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IA-DJYJP2VP2R |
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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WDZ-IA-DJYPVP |
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜 |
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WDZ-IA-DJYPVPR |
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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WDZ-IA-DJYP3VP3 |
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
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WDZ-IA-DJYP3VP3R |
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
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WDZ-IA-DJYP2VP2 |
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
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WDZ-IA-DJYP2VP2R |
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
供銷IA-DJFPVRP本安電纜（耐寒）含稅最低價；
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■ 規(guī)格范圍 |
對數(shù)：1-24對
每對芯數(shù)：二芯（稱二線組），三芯（稱三線組）
導體截面：0.5、0.75、1.0、1.5、2.5
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■ 技術參數(shù) |
1、20℃導體直流電阻及導體結構
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標稱截面（mm2） |
導體結構（根數(shù)/單絲直徑mm） |
20℃直流電阻≤（Ω/km） |
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A類 |
B類 |
R類 |
A、B類 |
R類 |
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0.5 |
1/0.8 |
7/0.3 |
16/0.2 |
≤36.0 |
≤39.0 |
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0. 75 |
1/0.97 |
7/0.37 |
24/0.2 |
≤24.5 |
≤26.0 |
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1.0 |
1/1.13 |
7/0.43 |
32/0.2 |
≤18.1 |
≤19.5 |
|
1.5 |
1/1.38 |
7/0.52 |
30/0.25 |
≤12.1 |
≤13.3 |
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2.5 |
1/1.78 |
7/0.68 |
49/0.25 |
≤7.41 |
≤7.98 |
2、20℃絕緣電阻
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性能項目 |
PVC絕緣 |
PE、XLPE絕緣 |
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20℃時絕緣電阻MΩ.KM |
≥25 |
≥500 |
3、電纜應經(jīng)受工頻交流電壓試驗：2000V/1min絕緣不發(fā)生擊穿，試驗溫度為環(huán)境溫度。
4、工作電容（1KHZ）：線芯與線芯≤90PF/m
5、分布電容（1KHZ）≤0.6μH/m
6、電磁干擾感應電壓（干擾磁場400A/m）≤5mV
7、靜電感應電壓（靜電電壓20KV）＜1V
8、輻射場透入強度（干擾場強120dBμV，干擾場頻率200MHZ）≤dBμV
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