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APRO工業(yè)寬溫PCMCIA卡采用了先進(jìn)的Hyperstone閃存控制芯片和NAND類型的SLC閃存技術(shù)，為了滿足正常和惡劣環(huán)境下的不同需要，寬溫PC卡工作溫度是 -40℃ ～ +85℃。寬溫PCMCIA卡的優(yōu)點(diǎn)在于數(shù)據(jù)的不丟失和使用半導(dǎo)體存儲媒介，所以它比硬盤堅固，而且功耗只有小型硬盤的10%。寬溫PCMCIA卡通常用作數(shù)控機(jī)床、掌上電腦、個人數(shù)字助理、數(shù)字照相機(jī)、筆記本電腦、PC和桌上電腦的存儲裝置。把寬溫PCMCIA卡插入到一個x86系統(tǒng)的IDE適配器中，它就可以當(dāng)作一個傳統(tǒng)的硬盤來使用。對需要長時間穩(wěn)定數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵應(yīng)用，APRO寬溫PCMCIA卡是最佳選擇方案。|
●符合RoSH環(huán)保 有
●兼容性 ATAPI-6和Ture IDE
●閃存技術(shù) NAND型SLC Flash
●樣式 PCMCIA卡Ⅱ型
◆連接 68針插孔
●系統(tǒng)性能
◆數(shù)據(jù)傳輸方式 PIO-4或者UDMA-4
◆數(shù)據(jù)傳輸速率 66.6MB/sec 在UDMA-4方式下測試速度
◆連續(xù)讀 40.0MB/sec（Max）
◆連續(xù)寫 20.0MB/sec（Max）
◆平均訪問時間 0.2ms(估計)
●環(huán)境指標(biāo)
◆工作溫度 -40℃ ～ +85℃
◆非工作溫度 -50℃ ～ +95℃
◆濕度 5% ～95%(無凝結(jié))
◆噪聲 0db
◆抗震動 15G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F
◆抗沖擊 1.000G ,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆電壓要求 +5V±10% ; +3.3V±5%
◆讀電流 124.00 mA(Max.);
◆寫電流 121.00 mA(Max.);
◆休眠模式電流 1.80 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（無故障工作時間） 1.000.000小時以上
◆糾錯碼 采用4 bits ECC Code
◆讀寫次數(shù) 2.000.000次
◆數(shù)據(jù)可靠性 每讀 1014 比特出現(xiàn)不多于1次不可恢復(fù)的錯誤
◆數(shù)據(jù)保存期 10年
●物理尺度
◆重量 (最大的) 60.0 g (2.12 oz)
◆尺寸(寬*長*高) 54.0mm*85.6mm*5.0mm
●質(zhì)保 5年 |
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工作溫度 |
-40℃ ～ +85℃ | |||
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封裝類型 |
采用金屬封裝 | |||
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傳輸方式 |
PIO-4 |
UDMA-4 | ||
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類型 |
存儲盤 |
啟動盤 |
存儲盤 |
啟動盤 |
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128M |
WRAFC128M-HAISI-PR |
WRAFC128M-HAISI-PF |
WRAFC128M-HAISI-UR |
WRAFC128M-HAISI-UF |
|
256M |
WRAFC256M-HAISI-PR |
WRAFC256M-HAISI-PF |
WRAFC256M-HAISI-UR |
WRAFC256M-HAISI-UF |
|
512M |
WRAFC512M-HAISI-PR |
WRAFC512M-HAISI-PF |
WRAFC512M-HAISI-UR |
WRAFC512M-HAISI-UF |
|
1G |
WRAFC001G-HAISI-PR |
WRAFC001G-HAISI-PF |
WRAFC001G-HAISI-UR |
WRAFC001G-HAISI-UF |
|
2G |
WRAFC002G-HAISI-PR |
WRAFC002G-HAISI-PF |
WRAFC002G-HAISI-UR |
WRAFC002G-HAISI-UF |
|
4G |
WRAFC004G-HAISI-PR |
WRAFC004G-HAISI-PF |
WRAFC004G-HAISI-UR |
WRAFC004G-HAISI-UF |
|
8G |
WRAFC008G-HAISI-PR |
WRAFC008G-HAISI-PF |
WRAFC008G-HAISI-UR |
WRAFC008G-HAISI-UF |
|
16G |
WRAFC016G-HAISI-PR |
WRAFC016G-HAISI-PF |
WRAFC016G-HAISI-UR |
WRAFC016G-HAISI-UF |
