商鋪名稱:KVVP電纜_KVVP控制電纜_KVVP屏蔽控制電纜_KVVP屏蔽線_天津市電纜總廠第一分廠
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彰武電話電纜MHYA3230*2*0.81.1 光纜結(jié)構(gòu)型式及其名稱
GYTA33—金屬加強構(gòu)件、松套層絞填充式、鋁-聚乙烯粘結(jié)護套、單細圓鋼絲鎧裝、聚乙烯套通信用室外光纜
1.2 彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8規(guī)格要求
1.2.1光纜中的光纖應是符合GB/T9771規(guī)定的B1.3類(即波長段擴展的非色散位移單模光纖)的單模光纖。
1.2.2光纜中的光纖數(shù)為用戶要求的芯數(shù)。
1.3 彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8結(jié)構(gòu)要求
1.3.1 光纜應由層絞結(jié)構(gòu)的纜芯和護層兩大部分構(gòu)成,其中,護層又包括護套和外護層。
1.3.2 光纜應是全截面阻水結(jié)構(gòu),即水在纜芯和護層中都不能縱向滲流,但鋼絲鎧裝部分可除外。
1.3.3 同批、同塑式規(guī)格的光纜產(chǎn)品應具有相同結(jié)構(gòu)排列和相同識別色譜。
1.3.4 纜芯通常包括中心加強構(gòu)件、松套光纖絞層(含可能有的填充繩)、可能有的扎紗、包帶、內(nèi)襯套等。
1.3.5 用于成纜的單模光纖的涂覆層結(jié)構(gòu)及其剝除力、光纖強度篩選水平及其動態(tài)疲勞參數(shù)nd值、模場直徑和尺寸參數(shù)、截止波長、宏彎損耗和色散等應符合GB/T9771 有關規(guī)定。
1.3.6 金屬加強構(gòu)件宜用高強度單圓鋼絲,也可用由高強度鋼絲構(gòu)成的l×7單股鋼絲繩。高強度鋼絲宜是不銹鋼絲,也可以是磷化鋼絲,其表面應圓整光滑。單鋼絲的楊氏模量應不低于190GPa,鋼絲繩的有效楊氏模量應不低于170GPa。在光纜制造長度內(nèi)金屬加強構(gòu)件不允許接頭。
1.3.7 外護層由鎧裝層和外套組成。外套應是黑色聚乙烯套,其材料應采用線性低密度、中密度或高密度聚乙烯護套料,并應分別符合GB 15065或YD/T1485規(guī)定。33型外護層光纜應在護套外施加一層螺旋層絞的細圓鍍鋅鋼絲鎧裝層,然后在鎧裝層外擠包一層黑色聚乙烯套,鋼絲鎧裝層宜采用涂覆、填充或(和)浸漬等方法進行防腐蝕。鋼絲直徑應在0.8mm~2.9mm選定。聚乙烯套厚度的標稱值為2.0mm,值應不小于1.6mm,任何橫斷面上的平均值應不小于1.8mm。
1.3.8 光纜外徑應不大于20mm。
1.3.9 光纜外表光滑無瑕疵,外形呈均勻圓度,不能出現(xiàn)菱形或橢圓形等不規(guī)則外形。
1.4光纜中光纖的技術性能要求
光纜中光纖的技術性能要求見下表1.1:
彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8光纖的技術性能 表1.1
序號 |
項 目 |
單位 |
技術性能 |
備注 |
|
1 |
光纖類型 |
|
G.652D |
|
|
2 |
模場直徑(1310nm) |
mm |
(8.6~9.5)±0.6 |
|
|
3 |
包層直徑 |
mm |
125.0±1 |
|
|
4 |
模場同心度偏差 |
mm |
≤0.6 |
|
|
5 |
包層不圓度 |
% |
≤1 |
|
|
6 |
截止波長 |
nm |
≤1260 |
|
|
7 |
光纖宏彎損耗 |
半徑 |
mm |
30 |
|
圈數(shù) |
圈 |
100 |
|
||
在1550nm值 |
dB |
0.1 |
|
||
8 |
色度色散系數(shù) |
零色散波長(λ0min~λ0max) |
nm |
1300~1324 |
|
零色散斜率 |
ps/nm2·km |
0.092 |
|
||
光纜PMDQ |
ps/km1/2 |
≤0.2 |
|
||
9 |
光纜衰減 |
1310~1625nm值 |
dB/km |
≤0.4 |
|
在1550nm值 |
dB/km |
≤0.25 |
|
||
10 |
適用溫度范圍 |
℃ |
-20 ~ +70 |
|
1.5光纜的主要技術性能
1.5.1光纜的拉伸(張力)、絕緣電阻、耐壓強度指標應符合標準要求。光纜的機械性能指標見下表1.2:
光纜機械性能表 表1.2
項目 光纜類型 |
拉伸(N) |
側(cè)壓力(N/100mm) |
||
短期 |
長期 |
短期 |
長期 |
|
直埋Ⅰ型光纜 |
10000 |
4000 |
5000 |
3000 |
表中短期拉伸(張力)是指纜內(nèi)光纖的延伸率應≤0.15%,長期拉伸(張力)是指光纜拉伸應變應≤0.2%,同時光纜內(nèi)的每根光纖的拉伸應變≤0.05%。光纜短期張力解除后,在1310nm和1550nm時所有光纖上測得的衰耗應無變化。
1.5.2光纜應經(jīng)過沖擊、反復彎曲、扭轉(zhuǎn)、卷繞、彎折、振動等各項試驗后,應能滿足檢驗標準,光纜護層應無裂紋或破損,且結(jié)構(gòu)無損壞,纜內(nèi)所有光纖應無衰減變化。光纜的技術性能見下表1.3:
彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8光纜技術性能 表1.3
序號 |
項 目 |
單位 |
光纜技術性能 |
備注 |
|
1 |
彎曲半徑 |
工作時 |
D |
12.5 |
D為光纜直徑 |
敷設時 |
D |
25 |
|||
2 |
光纜外護層厚度 |
標稱值 |
mm |
2.0 |
|
平均值 |
mm |
1.8 |
|
||
值 |
mm |
1.6 |
|
||
3 |
外護層絕緣電阻 |
MW·km |
≥2000 |
浸水24小時,測試電壓500VDC |
|
4 |
外護層介電強度 |
kVDC |
15 |
浸水24小時,測試時間2分鐘 |
|
5 |
標準盤長 |
m |
2000 |
(允許誤差為:0~+100m) |
|
6 |
溫度范圍 |
℃ |
-20 ~ +70 |
|
|
7 |
光纜使用壽命 |
|
不低于25年 |
在常規(guī)條件下 |
1.6 適用性要求
1.6.1 應采用符合GB/T7424、GB/T9771、GB/T15972和YD/T901標準規(guī)定的光纜光纖。
1.6.2 標稱工作波長:1310nm、1550nm
1.7 適用場合:適用于野外一般自然條件下長途直埋敷設,以及介于直埋間的橋梁、管道和局部架空敷設。
場效應管通常分為兩類:JFET和MOSFET。這兩類場效應管都是壓控型的器件。場效應管有三個電極,分別為:柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應用廣泛,JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的:在N型硅襯底上做了兩個P型半導體的P+區(qū),這兩個區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導體的絕緣層上引出柵極G。