彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8
彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8
產(chǎn)品價格:¥5(人民幣)
  • 規(guī)格:完善
  • 發(fā)貨地:河北
  • 品牌:
  • 最小起訂量:1米
  • 誠信商家
    會員級別:鉆石會員
    認證類型:企業(yè)認證
    企業(yè)證件:通過認證

    商鋪名稱:KVVP電纜_KVVP控制電纜_KVVP屏蔽控制電纜_KVVP屏蔽線_天津市電纜總廠第一分廠

    聯(lián)系人:畢永田(先生)

    聯(lián)系手機:

    固定電話:

    企業(yè)郵箱:775603376@qq.com

    聯(lián)系地址:河北省大城縣電話:0316-5960153

    郵編:65900

    聯(lián)系我時,請說是在線纜網(wǎng)上看到的,謝謝!

    商品詳情

      彰武電話電纜MHYA3230*2*0.81.1 光纜結(jié)構(gòu)型式及其名稱

      GYTA33—金屬加強構(gòu)件、松套層絞填充式、鋁-聚乙烯粘結(jié)護套、單細圓鋼絲鎧裝、聚乙烯套通信用室外光纜

      1.2 彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8規(guī)格要求

      1.2.1光纜中的光纖應是符合GB/T9771規(guī)定的B1.3類(即波長段擴展的非色散位移單模光纖)的單模光纖。

      1.2.2光纜中的光纖數(shù)為用戶要求的芯數(shù)。

      1.3 彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8結(jié)構(gòu)要求

      1.3.1 光纜應由層絞結(jié)構(gòu)的纜芯和護層兩大部分構(gòu)成,其中,護層又包括護套和外護層。

      1.3.2 光纜應是全截面阻水結(jié)構(gòu),即水在纜芯和護層中都不能縱向滲流,但鋼絲鎧裝部分可除外。

      1.3.3 同批、同塑式規(guī)格的光纜產(chǎn)品應具有相同結(jié)構(gòu)排列和相同識別色譜。

      1.3.4 纜芯通常包括中心加強構(gòu)件、松套光纖絞層(含可能有的填充繩)、可能有的扎紗、包帶、內(nèi)襯套等。

      1.3.5 用于成纜的單模光纖的涂覆層結(jié)構(gòu)及其剝除力、光纖強度篩選水平及其動態(tài)疲勞參數(shù)nd值、模場直徑和尺寸參數(shù)、截止波長、宏彎損耗和色散等應符合GB/T9771 有關規(guī)定。

      1.3.6 金屬加強構(gòu)件宜用高強度單圓鋼絲,也可用由高強度鋼絲構(gòu)成的l×7單股鋼絲繩。高強度鋼絲宜是不銹鋼絲,也可以是磷化鋼絲,其表面應圓整光滑。單鋼絲的楊氏模量應不低于190GPa,鋼絲繩的有效楊氏模量應不低于170GPa。在光纜制造長度內(nèi)金屬加強構(gòu)件不允許接頭。

      1.3.7 外護層由鎧裝層和外套組成。外套應是黑色聚乙烯套,其材料應采用線性低密度、中密度或高密度聚乙烯護套料,并應分別符合GB 15065YD/T1485規(guī)定。33型外護層光纜應在護套外施加一層螺旋層絞的細圓鍍鋅鋼絲鎧裝層,然后在鎧裝層外擠包一層黑色聚乙烯套,鋼絲鎧裝層宜采用涂覆、填充或(和)浸漬等方法進行防腐蝕。鋼絲直徑應在0.8mm~2.9mm選定。聚乙烯套厚度的標稱值為2.0mm,值應不小于1.6mm,任何橫斷面上的平均值應不小于1.8mm。

      1.3.8 光纜外徑應不大于20mm

      1.3.9 光纜外表光滑無瑕疵,外形呈均勻圓度,不能出現(xiàn)菱形或橢圓形等不規(guī)則外形。

      1.4光纜中光纖的技術性能要求

      光纜中光纖的技術性能要求見下表1.1
      彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8

         彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8光纖的技術性能     1.1

      序號

               

      單位

      技術性能

      備注

      1

      光纖類型

       

      G.652D

       

      2

      模場直徑(1310nm)

      mm

      (8.6~9.5)±0.6

       

      3

      包層直徑

      mm

      125.0±1

       

      4

      模場同心度偏差

      mm

      0.6

       

      5

      包層不圓度

      %

      1

       

      6

      截止波長

      nm

      1260

       

      7

      光纖宏彎損耗

      半徑

      mm

      30

       

      圈數(shù)

      100

       

      1550nm

      dB

      0.1

       

      8

      色度色散系數(shù)

      零色散波長(λ0min~λ0max)

      nm

      1300~1324

       

      零色散斜率

      ps/nm2·km

      0.092

       

      光纜PMDQ

      ps/km1/2

      0.2

       

      9

      光纜衰減

      13101625nm

      dB/km

      0.4

       

      1550nm

      dB/km

      0.25

       

      10

      適用溫度范圍

      -20 +70

       

       

      1.5光纜的主要技術性能

      1.5.1光纜的拉伸(張力)、絕緣電阻、耐壓強度指標應符合標準要求。光纜的機械性能指標見下表1.2

      彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8光纜機械性能表     1.2

      項目

      光纜類型

      拉伸(N

      側(cè)壓力(N/100mm

      短期

      長期

      短期

      長期

      直埋Ⅰ型光纜

      10000

      4000

      5000

      3000

       

      表中短期拉伸(張力)是指纜內(nèi)光纖的延伸率應0.15%,長期拉伸(張力)是指光纜拉伸應變應0.2%,同時光纜內(nèi)的每根光纖的拉伸應變0.05%。光纜短期張力解除后,在1310nm1550nm時所有光纖上測得的衰耗應無變化。

      1.5.2光纜應經(jīng)過沖擊、反復彎曲、扭轉(zhuǎn)、卷繞、彎折、振動等各項試驗后,應能滿足檢驗標準,光纜護層應無裂紋或破損,且結(jié)構(gòu)無損壞,纜內(nèi)所有光纖應無衰減變化。光纜的技術性能見下表1.3

      彰武電話電纜MHYA3230*2*0.8光纜技術性能     1.3

      序號

               

      單位

      光纜技術性能

      備注

      1

      彎曲半徑

      工作時

      D

      12.5

      D為光纜直徑

      敷設時

      D

      25

      2

      光纜外護層厚度

      標稱值

      mm

      2.0

       

      平均值

      mm

      1.8

       

      mm

      1.6

       

      3

      外護層絕緣電阻

      MW·km

      2000

      浸水24小時,測試電壓500VDC

      4

      外護層介電強度

      kVDC

      15

      浸水24小時,測試時間2分鐘

      5

      標準盤長

      m

      2000

      (允許誤差為:0~+100m

      6

      溫度范圍

      -20 ~ +70

       

      7

      光纜使用壽命

       

      不低于25

      在常規(guī)條件下

       

      1.6 適用性要求

      1.6.1 應采用符合GB/T7424、GB/T9771GB/T15972YD/T901標準規(guī)定的光纜光纖。

      1.6.2 標稱工作波長:1310nm、1550nm

      1.7 適用場合:適用于野外一般自然條件下長途直埋敷設,以及介于直埋間的橋梁、管道和局部架空敷設。
      場效應管通常分為兩類:JFET和MOSFET。這兩類場效應管都是壓控型的器件。場效應管有三個電極,分別為:柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應用廣泛,JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的:在N型硅襯底上做了兩個P型半導體的P+區(qū),這兩個區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導體的絕緣層上引出柵極G。

      扎蘭屯礦用阻燃通信電纜MHYAV10*2*0.8

    在線詢盤/留言
  • 0571-87774297