本設(shè)備適用于對(duì)其有內(nèi)腔的微電子器件和半導(dǎo)體器件的氣密性進(jìn)行粗檢漏,可利用氟氮化合物進(jìn)行一步粗檢漏及二步粗檢漏,也可與氦質(zhì)譜檢漏儀相配合,利用氦氣進(jìn)行檢漏。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、加壓缸內(nèi)徑ф145毫米,深225毫米,加壓缸充氣系統(tǒng)額定氣壓2-7公斤/厘米2
2、檢漏精度:
一步氟氮化合物進(jìn)行粗檢漏,可檢漏氣速率≥10-3 大氣壓厘米3/秒
二步氟氮化合物進(jìn)行粗檢漏,可檢漏氣速率≥10-5 大氣壓厘米3/秒
二、技術(shù)指標(biāo)
1. 設(shè)備安裝面積130×80(厘米),工作面高84厘米。
2. 加壓缸內(nèi)徑ф145毫米,深225毫米。
加壓缸充氣系統(tǒng)額定電壓:(2-7公斤/厘米2)176.133~686.466Kpa
電磁閥電源:交流220V
3. 檢漏液電加熱器額定功率500W,自動(dòng)控溫
照明燈:220V,6W,1只
4. 循環(huán)水冷凝器耗水量5升/小時(shí)
5. 檢漏精度:
(1)一步氟碳化合物粗檢漏,可檢漏氣速率≥10-3大氣壓厘米3/秒
(2)二步氟碳化合物粗檢漏,可檢漏氣速率≥10-5大氣壓厘米3/秒 |