許多企業(yè)用的設(shè)備仍然是老式電子管高頻和老式可控硅中頻。而用這兩種設(shè)備淬火存在著兩種不同的缺點(diǎn)。若用電子管高頻淬火，因頻率太高（200KHz），加熱層太淺，加熱不均勻。若用可控硅中頻，因頻率太低，穿透層太深，用于小直徑鋼筋加熱損耗太大。并且噪音大，極熱速度慢，耗電量大，，成本高，感應(yīng)器帶高壓電，不安全等。具體來(lái)講，選用我公司的產(chǎn)品具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1.    本公司的超音頻設(shè)備頻率一般為25-35KHz,適宜透熱5-20mm直徑，透熱溫度易掌握。材質(zhì)金相組織符合要求，無(wú)氧化脫碳層。

2.    速度比中頻快1/4。

3.    感應(yīng)器做工精細(xì)，根據(jù)用戶工件結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)制作感應(yīng)器，溫度均勻、一致。

4.    采用IGBT，國(guó)際先進(jìn)器件，不要老式可控硅，效率比老式可控硅中頻提高20%-30%，節(jié)電30%-40%。

5.    本設(shè)備為串聯(lián)諧振電路拓?fù)�，感�?yīng)器為隔離懸浮電壓，安全；而可控硅中頻為并聯(lián)諧振，感應(yīng)器為直接電壓500V，如絕緣破損受潮，則有不安全之慮。

6.    本設(shè)備采用國(guó)際最先進(jìn)的PWM控制，占功比調(diào)功，進(jìn)網(wǎng)側(cè)不用電抗器，不用前級(jí)調(diào)功可控硅。對(duì)電網(wǎng)和其他設(shè)備影響甚微；而可控硅中頻，用電抗器平波，前級(jí)可控硅調(diào)功，諧波嚴(yán)重，對(duì)電網(wǎng)和同網(wǎng)設(shè)備有較嚴(yán)重諧波干擾。

7.    本設(shè)備設(shè)有全面的閉環(huán)保護(hù)，保護(hù)速度為納秒級(jí)：（1/1000000秒級(jí)）保證本設(shè)備主電路正常工作，主器件不損壞�？煽毓枋街蓄l則常常燒壞昂貴的快速熔斷器及可控硅。

8.    本設(shè)備設(shè)有全面的保護(hù)回路。如水溫、水壓、電壓、電流等，確保設(shè)備正常工作。

9.    本設(shè)備加熱速度快，生產(chǎn)是效率高，易于機(jī)械化與自動(dòng)化，可方便與下道工序設(shè)備街接，實(shí)現(xiàn)同步、同節(jié)拍生產(chǎn)。

10. 本設(shè)備符合國(guó)際通行3S標(biāo)準(zhǔn)（SURE可靠、SAFE安全、SAVING節(jié)約），及3C標(biāo)準(zhǔn)（C00L低溫、CLEAN清潔、CLAM安靜）

11. 無(wú)可控硅中頻的嘯叫噪音。