賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊
賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊
產(chǎn)品價(jià)格:¥9999(人民幣)
  • 規(guī)格:SKiiP 2414 GB17E4-4DL
  • 發(fā)貨地:北京
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  • 誠(chéng)信商家
    會(huì)員級(jí)別:鉆石會(huì)員
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    企業(yè)證件:通過(guò)認(rèn)證

    商鋪名稱:北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司

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    商品詳情

      賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊

      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊

      SKiiP 2414 GB17E4-4DPVW V2
      SKiiP 2414 GB17E4-4DPVL V2
      SKiiP 2414 GB17E4-4DUHP

      SKiiP 2414 GB17E4-4DUK310

      SKIIP2414GB17E4-4DUK1262

      SKiiP3614GB17E4-6DUK311



      SKiiP 2414 GB17E4-4DL是一款風(fēng)電 光伏新能源 逆變器 變頻器智能IGBT模塊

      SkiiP® 4 IGBT模塊的設(shè)計(jì)和性能。新型IGBT模塊中采用無(wú)基板的直接銅鍵合 (DBC) 概念,配備高性能冷卻器(散熱片)。這樣一來(lái),由四個(gè)半橋組成的功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUHP的電流開(kāi)斷能力提高了25%,能在1700 V的電壓條件下輕松開(kāi)斷IGBT上明顯高于2400 A的電流

      SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

      2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
      SKIIP1013GB172-2D

      SKiiP2414GB17E4-4DUK310

      SKiiP模塊產(chǎn)品特點(diǎn) 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL

      4合1:功率IPM  驅(qū)動(dòng)器、功率半導(dǎo)體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風(fēng)冷或水冷(HPC)
      完全組裝和老化測(cè)試
      高功率密度
      采用了燒結(jié)技術(shù),功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
      性能比傳統(tǒng)水冷卻器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷卻(HPC),單側(cè)和雙側(cè)安裝在HPC水冷器上
      來(lái)自賽米控高度集成的IPM-IGBT模塊--北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
      SKiiP(SEMIKRON智能功率模塊)將IGBT模塊,驅(qū)動(dòng)和散熱集于一身。生產(chǎn)結(jié)束后的全性能測(cè)試(包括一個(gè)小時(shí)的老化測(cè)試)確保了應(yīng)用的高可靠性。 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)SKiiP 2414 GB17E4-4DL
      SKiiP IPM 1200V和1700V產(chǎn)品系列為高性能和高可靠的逆變器設(shè)計(jì)樹(shù)立了基準(zhǔn)。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度,并結(jié)合了靈活的散熱選項(xiàng)(風(fēng)冷或水冷)以及定制的散熱器。集成了電流傳感器和全功能保護(hù)的可靠驅(qū)動(dòng)技術(shù)完善了IPM的設(shè)計(jì)。
      SKiiP 3在工業(yè)傳動(dòng)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。憑借其全橋或半橋拓?fù)洌w了從500A到2400A的電流范圍。
      SKiiP 4具有半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并根據(jù) 功率循環(huán)要求進(jìn)行了優(yōu)化,涵蓋了高達(dá)3600A的電流范圍。
      SKiiP模塊 的關(guān)鍵特性
      集成驅(qū)動(dòng)、功率模塊和散熱器
      集成溫度測(cè)量
      集成精準(zhǔn)的電流傳感器
      集成直流母線監(jiān)測(cè)
      SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線
      免焊接的燒結(jié)技術(shù)SKiiP 4
      SKiiP IGBT模塊 的優(yōu)勢(shì) 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
      得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù),SKiiP提高了對(duì)苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,燒結(jié)技術(shù)延長(zhǎng)了工作壽命,提高了對(duì)主動(dòng)和被動(dòng)熱循環(huán)的彈性。
      SKiiP 4數(shù)字驅(qū)動(dòng)器降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性也減少了昂貴元件的使用,它保證了開(kāi)關(guān)信號(hào)和參數(shù)測(cè)量的安全隔離。除了高可靠性設(shè)計(jì),SKiiP 4驅(qū)動(dòng)器還包括CAN-bus功能。
      SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計(jì)樹(shù)立了一個(gè)基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,結(jié)合靈活的冷卻選項(xiàng),如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散熱器?煽康尿(qū)動(dòng)技術(shù)、集成的電流傳感器和全面的保護(hù)功能完善了IPM的設(shè)計(jì)。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL
      SKiiP 3在工業(yè)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域得到了廣泛的推廣。憑借其三相全橋和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它涵蓋的電流范圍從500A到2400A。
      SKiiP 4采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它已針對(duì) 功率循環(huán)要求進(jìn)行了優(yōu)化,涵蓋了高達(dá)3600A的更高功率范圍。它是市場(chǎng)上智能電源模塊

      SKIIP1013GB172-2DL V3
      SKIIP1203GB172-2DW V3
      SKIIP1513GB172-3DL V3
      SKiiP1513GB172-3DK0244
      SKIIP1513GB172-3DK0215
      SKIIP1513GB172-3DFK0351

      SKiiP1803GB172-3DW V3


      SKIIP1803GB172-3DK0398
      SKiiP1803GB123-3DUK0299
      SKiiP1803GB172-3DFK0368
      SKiiP1813GB123-3DUK1080
      SKiiP1813GB123-3DUK0382
      SKiiP2403GB123-4DUK0381
      SKiiP2413GB123-4DUK1070
      SKiiP2403GB123-4DUK0262
      SKIIP1814GB17E4-3DL
      SKIIP1814GB17E4-3DW
      SKIIP2414GB17E4-4DL
      SKIIP2414GB17E4-4DW
      SKIIP3614GB17E4-6DL
      SKIIP3614GB17E4-6DW
      SKiiP1814GB12E4-3DUW

      IGBT  北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊


      IGBT是什么?
      IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊
      IGBT與MOSFET的對(duì)比
      MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
      優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
      缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。
      IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
      特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
      IGBT的典型應(yīng)用
      電動(dòng)機(jī)
      不間斷電源
      太陽(yáng)能面板安裝
      電焊機(jī)
      電源轉(zhuǎn)換器與反相器
      電感充電器
      電磁爐
      北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)賽米控IGBT模塊SKiiP 2414 GB17E4-4DL西門康IPM模塊

      SKiiP1213GB123-2DW V3
      SKiiP1813GB123-3DL V3
      SKiiP1813GB123-3DW V3
      SKiiP2413GB123-4DL V3
      SKiiP2413GB123-4DW V3
      SKIIP1013GB172-2DK0203
      SKiiP1814GB12E4-3DUL
      SKiiP1814GB12E4-3DUW
      SKiiP2414GB12E4-4DUL
      SKiiP2414GB12E4-4DUW
      SKiiP3614GB12E4-6DUL

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