IGBT驅(qū)動板DW.QD005-V12A6-F 1.2A電除塵器電源

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DW.QD005-V12A6/9-F
DW.MK006-V12A6-F
DW.QD005-V12A6-F 1.2A
DW.MK006-V12A6-I 1.2A

MKPg0.48-25-3
MKPg0.44-30-3
MKPG0.48-36-3

1 IGBT 門極驅(qū)動要求

1.1 柵極驅(qū)動電壓

因 IGBT 柵極 - 發(fā)射極阻抗大，故可使用 MOSFET 驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動，但 IGBT 的輸入電容較 MOSFET 大，所以 IGBT 的驅(qū)動偏壓應(yīng)比 MOSFET 驅(qū)動所需偏壓強(qiáng)。圖 1 是一個典型的例子。在 +20 ℃情況下，實(shí)測 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 開通電壓閥值為 5 ~ 6 V ，在實(shí)際使用時，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取 Ugc ≥ (1.5 ~ 3)Uge(th) ，當(dāng) Uge 增加時，導(dǎo)通時集射電壓 Uce 將減小，開通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過程中 Uge 增加，集電極電流 Ic 也將隨之增加，使得 IGBT 能承受短路損壞的脈寬變窄，因此 Ugc 的選擇不應(yīng)太大，這足以使 IGBT 完全飽和，同時也限制了短路電流及其所帶來的應(yīng)力 ( 在具有短路工作過程的設(shè)備中，如在電機(jī)中使用 IGBT 時， +Uge 在滿足要求的情況下盡量選取最小值，以提高其耐短路能力 ) 。

1.2 對電源的要求
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對于全橋或半橋電路來說，上下管的驅(qū)動電源要相互隔離，由于 IGBT 是電壓控制器件，所需要的驅(qū)動功率很小，主要是對其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電，要求能提供較大的瞬時電流，要使 IGBT 迅速關(guān)斷，應(yīng)盡量減小電源的內(nèi)阻，并且為防止 IGBT 關(guān)斷時產(chǎn)生的 du/dt 誤使 IGBT 導(dǎo)通，應(yīng)加上一個 -5 V 的關(guān)柵電壓，以確保其完全可靠的關(guān)斷 ( 過大的反向電壓會造成 IGBT 柵射反向擊穿，一般為 -2 ~ 10 V 之間 ) 。

1.3 對驅(qū)動波形的要求
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從減小損耗角度講，門極驅(qū)動電壓脈沖的上升沿和下降沿要盡量陡峭，前沿很陡的門極電壓使 IGBT 快速開通，達(dá)到飽和的時間很短，因此可以降低開通損耗，同理，在 IGBT 關(guān)斷時，陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時間，從而減小了關(guān)斷損耗，發(fā)熱量降低。但在實(shí)際使用中，過快的開通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因?yàn)樵谶@種情況下， IGBT 過快的開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 Ldi/dt ，并且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會造成 IGBT 或其他元器件被過壓擊穿而損壞。所以在選擇驅(qū)動波形的上升和下降速度時，應(yīng)根據(jù)電路中元件的耐壓能力及 du/dt 吸收電路性能綜合考慮。

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