英飛凌IGBT模塊FZ1200R17KF4C

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ1200R17KF4C

產(chǎn)品詳細(xì)信息
InfineonFZ1200R17KF4C單開關(guān) IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板，用于提高熱循環(huán)能力。
VCES 為 1700 V
IC 標(biāo)稱值為 1200 A
ICRM 為 2000 A
它可保持高電流密度

產(chǎn)品特征描述：

1. 提高工作溫度Tvj op
2. 低開關(guān)損耗
3. 低 VCEsat
4. Tvj op = 150°C
5. 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
6. 封裝的 CTI > 400
7. 高爬電距離和電氣間隙
8. 銅基板
9. UL 認(rèn)證

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對(duì)比
MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
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特點(diǎn)：

擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售西門子SIEMENS

6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅(qū)動(dòng)板
中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開關(guān)、風(fēng)機(jī)及其他系列;GH180羅賓康A(chǔ)1A/ASE(（電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器）等
變頻器等備件 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
產(chǎn)品備件;
6SE70變頻器:6SE70驅(qū)動(dòng)/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
SIEMENS 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
M440/M430變頻器及備件;
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工業(yè)通訊及 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
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ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器（ES2000、ESM2000)、

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