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1P6DD1 684-OGDO
1P6DD1 684-OGDO
1P6DD1 684-OGDO
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SIMATIC TDC 圓形電纜 SC63 50針有屏蔽，長度 2m
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SIMATIC S7-400 可采用具有不同性能級(jí)別的各種 CPU：
所有 CPU 裝在帶集成的控制單元和顯示單元的塑料外殼中。 相同的單元具有相同的功能。
前面板上有：
除 CPU 412-1 處理器外，所有 CPU 具有：
CPU 414-3 PN/DP, CPU 416-3 PN/DP 和 CPU 416F-3 PN/DP 也可以連接 PROFINET。 每個(gè)模板有一個(gè)雙口的 PROFINET 接口。
高端 CPU 還具有：
此外，CPU 按照其性能進(jìn)行分級(jí)：例如RAM、地址區(qū)大小、可裝載塊的數(shù)量以及處理時(shí)間。
所有 S7-400 CPU 均具有兩種類型的存儲(chǔ)器。工作存儲(chǔ)器的細(xì)分可將性能提高一倍。當(dāng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)處理器需要訪問其 RAM 至少兩次時(shí)，S7-400 專用處理器可在一個(gè)循環(huán)周期中同時(shí)訪問代碼存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。因此，數(shù)據(jù)總線和代碼總線也是獨(dú)立的。工作存儲(chǔ)器的容量取決于從精細(xì)分級(jí)的 CPU 系列中所選取的適合的 CPU。
對(duì)于小型和中等程序，集成式負(fù)載內(nèi)存 (RAM) 就足夠了。對(duì)于較大的程序，可通過插入內(nèi)存卡來增加裝載內(nèi)存。插入式閃存卡可用于在不使用電池的情況下進(jìn)行永久性存儲(chǔ)。
相關(guān)功能 (FC) 和 功能塊 (FB) 可以加密的方式存儲(chǔ)于 CPU 以保護(hù)專門知識(shí)應(yīng)用。
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商品編號(hào) |
6ES7412-2EK07-0AB0 |
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CPU412-2 PN，1 MB，2 個(gè)接口 |
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一般信息 |
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產(chǎn)品型號(hào)名稱 |
CPU 412-2 PN |
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硬件功能狀態(tài) |
01 |
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固件版本 |
V7.0 |
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工程組態(tài)方式 |
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STEP 7 V5.5 或以上版本，帶 HSP 262 |
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CiR - 在 RUN 模式下組態(tài) |
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CiR 同步時(shí)間，基本負(fù)載 |
100 ms |
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CiR 同步時(shí)間,每個(gè) I/O字節(jié)從站的時(shí)間 |
30 μs |
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電源電壓 |
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額定值 (DC) |
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-；通過系統(tǒng)電源供電 |
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輸入電流 |
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從背板總線 5 VDC，典型值 |
1.1 A |
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從背板總線 5 VDC，最大值 |
1.4 A |
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從背板總線 24 VDC，最大值 |
150 mA；每個(gè) DP 接口 150 mA |
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從接口 5 V DC，最大 |
90 mA；在每個(gè) DP 接口處 |
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功耗 |
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功耗，典型值 |
5.5 W |
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功耗，最大值 |
7 W |
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存儲(chǔ)器 |
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存儲(chǔ)器類型 |
RAM |
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工作存儲(chǔ)器 |
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1 MB |
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512 KB |
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512 KB |
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- |
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裝載存儲(chǔ)器 |
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√；帶存儲(chǔ)卡(FLASH) |
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64 MB |
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512 KB |
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√；帶存儲(chǔ)器卡 (RAM) |
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64 MB |
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后備 |
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√ |
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√；所有數(shù)據(jù) |
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- |
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電池 |
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后備電池 |
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180 μA；(最高 40 °C ) |
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850 μA |
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模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了輔助條件和影響因素 |
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5 V DC 到 15 V DC |
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CPU 處理時(shí)間 |
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位操作時(shí)，典型值 |
31.25 ns |
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字操作時(shí)，典型值 |
31.25 ns |
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定點(diǎn)數(shù)運(yùn)算時(shí)，典型值 |
31.25 ns |
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浮點(diǎn)數(shù)運(yùn)算時(shí)，典型值 |
62.5 ns |
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CPU 塊 |
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DB |
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3,000；數(shù)值范圍：1 - 16000 |
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64 KB |
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FB |
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1,500；數(shù)值范圍：0 - 7999 |
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64 KB |
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FC |
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1,500；數(shù)值范圍：0 - 7999 |
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64 KB |
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