分子束蒸發(fā)源SOURCE-1250用于在超高真空中制備MBE生長的薄膜 


分子束蒸發(fā)源SOURCE-1250特點簡介：
分子束蒸發(fā)源，用于在超高真空中制備MBE生長的薄膜 
開放式蒸發(fā)源，它的設(shè)計是為了盡量減少分子束 輻射時的氣體排放 
安裝法蘭盤：ICF070·114等
溫度控制：通過PID控制Max1250




分子束蒸發(fā)源SOURCE-1250規(guī)格：
(1) 坩堝容量：約10cc（唇邊約15mm x 57mm）
(2) 坩堝材料PBN
(3) 加熱器 高純度Ta線盤繞
(4) 側(cè)面反射器 5層 高純度Ta
(5) 加熱元件支撐底座 高純度Mo
(6) 熱電偶Pr13
(7) 加熱元件的外部形狀為φ35X50mm
(8) 工作溫度范圍300°C至1250°C
(9) 百葉窗的開/關(guān)由微型法蘭盤旋轉(zhuǎn)導(dǎo)入機完成（標(biāo)準(zhǔn)手動：空氣驅(qū)動是可選的）
(10) 安裝法蘭114CF (4.5 "CF)
(11) 加熱電源 1KW直流電源，有電流和電壓限制
(12) 溫度控制器：PID控制方式RT~1800°C，控制精度0.1°C
(13) 烘烤溫度：250°C（拆除電纜和空氣驅(qū)動裝置后）



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