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到5.5V。
芯片采用了先進的動態(tài)失調(diào)消除技術、斬波放大技術、溫度漂移補償技術和電源電壓補償技術,使該芯片具有優(yōu)越
的溫度穩(wěn)定性、極低的開關點漂移和對物理應力不敏感的卓越性能。
當磁場強度大于工作點BOP時,芯片輸出為低電平;當磁場強度減小至釋放點BRP時,芯片輸出為高電平。
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