原裝臺(tái)達(dá)8032散熱風(fēng)扇

三個(gè)葉子，雙滾珠，三線風(fēng)扇

原裝臺(tái)達(dá)散熱風(fēng)扇

電壓：12V

型號(hào)：EFB0812SHF

電流：0.51A

規(guī)格：80*80*32MM

3線帶端子

雙滾珠散熱風(fēng)扇

采用三片扇葉造風(fēng)，風(fēng)量大，噪音小

集電極——基極之間的反向電流ICBO

ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流，是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對(duì)溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。

集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開路時(shí)，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。

開關(guān)作用

控制大功率

現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；

(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，

(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，

(3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有．

幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如

(1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加，

(2)技術(shù)上的簡化，

(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，

(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、

直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)

晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開關(guān)能力的方法。

在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。

簡單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能

今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率晶體管，稱之為“非集中保護(hù)” (和集中保護(hù)對(duì)照)。集成驅(qū)動(dòng)電路的功能包括：

(1)開通和關(guān)斷功率開關(guān)；

(2)監(jiān)控輔助電源電壓；

(3)限制最大和最小脈沖寬度；

(4)熱保護(hù)；

(5)監(jiān)控開關(guān)的飽和壓降。

歷史事件

2010年早些時(shí)候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近（7月）他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。

據(jù)Intel工程師透露，首款采用22nm制程的CPU預(yù)計(jì)將在2011年出現(xiàn)。在2009年2月，Intel發(fā)布了新一代采用32nm制程的Westmere核心處理器，也就是第二代Nehalem架構(gòu)處理器。而到了2010年全新的Sandy Bridge核心將在32nm制程工藝的幫助下實(shí)現(xiàn)8核心的設(shè)計(jì)。

2007年11月，英特爾共發(fā)布了16款Penryn處理器，主要面向服務(wù)器和高端PC。這些產(chǎn)品采用了更先進(jìn)的45納米生產(chǎn)工藝，其中最復(fù)雜的一款擁有8.2億個(gè)晶體管。英特爾上一代產(chǎn)品主要采用65納米生產(chǎn)工藝，最復(fù)雜的一款處理器擁有5.82億個(gè)晶體管。

IBM將于12月在舊金山國際電子設(shè)備大會(huì)上介紹新晶體管設(shè)計(jì)方案的詳細(xì)內(nèi)容，并于2005～2006年投入生產(chǎn)，其210GHz晶體管已于2001年6月推出，相關(guān)芯片在2003年末或2004年初上市。

專家認(rèn)為每個(gè)晶體管最低價(jià)格底線出現(xiàn)在2003～2005年，從經(jīng)濟(jì)觀點(diǎn)看，沒有必要把晶體管做得更小了。

到2005年，芯片所含晶體管數(shù)將高達(dá)幾十億只，頻率也將高達(dá)幾千兆赫。

預(yù)計(jì)在2005年將推出采用全新的TeraHertz晶體管架構(gòu)的產(chǎn)品。

到2005年芯片上集成2億個(gè)晶體管時(shí)就會(huì)熱得像“核反應(yīng)堆”進(jìn)入2010年時(shí)芯片的溫度就會(huì)達(dá)到火箭發(fā)射時(shí)高溫氣體噴嘴的溫度水平，而到2015年芯片就會(huì)與太陽的表面一樣灼熱。

預(yù)計(jì)至2004年，Intel將可推出在新的直徑為300毫米（約12英寸）的晶圓片（晶圓片尺寸一般十年翻一番）上能夠刻出容納5億個(gè)晶體管的芯片。

例如，2004年投入應(yīng)用的90nm藝，其中半節(jié)距為90nm，而晶體管的物理柵長為37nm

2004年業(yè)界已采用超薄SOI晶圓推出0.1μm1億個(gè)晶體管的高速CMOS電路。

2003年使用的90nm工藝又有了一些變化，同樣除了線長和門長度的縮短以外，應(yīng)變硅 Strainedsi）被首次引入了晶體管中以解決晶 體管內(nèi)部電流通路問題。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2003年單位芯片的晶體管數(shù)目與1963年相比增加了10億倍。

Barton：在2002年下半年，AMD將會(huì)發(fā)布應(yīng)用SOI（硅連接）晶體管結(jié)構(gòu)的Barton內(nèi)核處理器。

2002年9月15日在美國硅谷舉辦的微處理器論壇上，世界芯片業(yè)霸主、美國英特爾公司表示，該公司將在2007年推出集成10億個(gè)晶體管和運(yùn)行速度高達(dá)6GHz電腦芯片，讓世界芯片進(jìn)入10億晶體管時(shí)代，同時(shí)證明摩爾定律這棵發(fā)明理論之樹常青。

2002年5月，IBM開發(fā)出速度遠(yuǎn)超過現(xiàn)在最先進(jìn)的硅晶體管的碳納米晶體管，實(shí)用化進(jìn)程再次加速。