預(yù)計至2004年,Intel將可推出在新的直徑為300毫米(約12英寸)的
晶圓片(晶圓片尺寸一般十年翻一番)上能夠刻出容納5億個晶體管的芯片。
例如,2004年投入應(yīng)用的90nm藝,其中半節(jié)距為90nm,而晶體管的物理柵長為37nm
2004年業(yè)界已采用超薄SOI晶圓推出0.1μm1億個晶體管的高速CMOS電路。
2003年使用的90nm工藝又有了一些變化,同樣除了線長和門長度的縮短以外,應(yīng)變硅 Strainedsi)被首次引入了晶體管中以解決晶 體管內(nèi)部電流通路問題。
據(jù)統(tǒng)計,2003年單位芯片的晶體管數(shù)目與1963年相比增加了10億倍。
Barton:在2002年下半年,AMD將會發(fā)布應(yīng)用SOI(硅連接)晶體管結(jié)構(gòu)的Barton內(nèi)核處理器。
2002年9月15日在美國硅谷舉辦的微處理器論壇上,世界芯片業(yè)霸主、美國英特爾公司表示,該公司將在2007年推出集成10億個晶體管和運行速度高達6GHz電腦芯片,讓世界芯片進入10億晶體管時代,同時證明
摩爾定律這棵發(fā)明理論之樹常青。
2002年5月,IBM開發(fā)出速度遠超過現(xiàn)在最先進的硅晶體管的碳
納米晶體管,實用化進程再次加速。
而在2001年年底到2002年年初的這段時間里,英特爾公司的產(chǎn)品線將全部轉(zhuǎn)移到0.13微米封裝工藝,所采用的晶體管制造技術(shù)為70納米。
2001年9月25日,投資金額14.8億美元的中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,在上海張江高新科技園區(qū)舉行了“中芯第一芯”投產(chǎn)慶典,慶祝第一片8英寸、0.25微米以下線寬(指芯片上晶體管之間的距離,越短則同一個芯片上可排列的晶體管越多,技術(shù)水平越高)的芯片上線生產(chǎn)。
2001年,
貝爾實驗室發(fā)明了世界上第一個分子級晶體管,從而成為繼1947年發(fā)明,標(biāo)志著通信和技術(shù)新時代到來的晶體管之后的又一個科學(xué)里程碑。
2001年7月18日,青島晶體管實驗所開島城科研院所改制之先河:130名職工出資100萬元將其買斷,斯時,這個實驗所在國有體制下經(jīng)營了35年。
2001年6月,IBM宣布單個硅鍺晶體管的工作頻率達到210GHz,工作電流1mA,比上一代硅鍺晶體管速度提高了80%,
功耗降低了50%。
2001年,Avouris等人利用此法制造成功了世界上第一列碳納米管晶體管1451。
2001年4月,IBM公司宣布世界上第一個碳納米材料晶體管陣列,從而使“分子計算機”的理想開始走向現(xiàn)實。
2000年英特爾公司推出“奔騰4”處理器,運行速度高達1.5GHz,集成的晶體管數(shù)量高達4200萬,每秒運算量高達15億次。
2000年 11月,容納4200萬個晶體管的奔騰4處理器的誕生,其卓越的創(chuàng)新使處理器技術(shù)跨入了第7代。
2000年 12月,英特爾公司率先在業(yè)界開發(fā)出柵極長度為30nm的單晶體管;2001年6月,英特爾又將這一紀(jì)錄提高到20nm;同年 11月 26日,英特爾宣布已開發(fā)出柵極長度僅為15nm的新型晶體管,同時單個晶體管的實際工作頻率已經(jīng)能達到2.63THz。
到了2000年,每個設(shè)計工程師進行新設(shè)計時的生產(chǎn)率為2683個晶體管/周,而采用IP進行設(shè)計其生產(chǎn)率約為30000個晶體管/周,效率提高非常明顯,可以說IP重用是重要的生產(chǎn)力要素。
同時,毫米波功率晶體管可能在2000年前后轉(zhuǎn)到小批量的試制生產(chǎn)。
預(yù)計到2000年左右,全球?qū)⒂?GDRAM和可包含500億只晶體管的單片系統(tǒng)問。
2000年初,美國貝爾實驗室開發(fā)出50 nm向晶體管,該晶體管建在芯片表面,電流垂直流動,在晶體管的兩個相對的面各有一個門,從而提高了運算速度。
例如,2000年中國從馬來西亞進口的28.8億美元的機電產(chǎn)品中,一半以上是
顯像管、晶體管和集成電路。
1999年初 全國各高空臺站開始使用晶體管回答器。